自己組織単分子膜、自己組織単分子膜構成体、ステンシルマスクと、このステンシルマスクを用いた微細加工方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002140816
Publication number (International publication number)：2003334489
Application date： May. 15, 2002
Publication date： Nov. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】直接描画型マイクロイオンプロジェクションパターニング法等において、粒子線衝撃により固体表面に発生する応力を低減することができる新しい自己組織単分子膜と、自己組織単分子膜構成体、および、より高速で、高精度な磁性体の微細加工を可能とするステンシルマスクと、このステンシルマスクを用いた微細加工方法を提供する。【解決手段】粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせる自己組織単分子膜を備えている自己組織単分子膜構成体からなるステンシルマスクを用いてイオン照射により微細加工する。

Claim (excerpt)：

固体表面に配設された自己組織単分子膜であって、粒子線照射により固体表面に引張り応力を生じさせることを特徴とする自己組織単分子膜。

IPC (5)：

B05D 3/06 , B05C 17/06 , G03F 1/16 , G03F 7/20 506 , H01L 21/027

FI (5)：

B05D 3/06 Z , B05C 17/06 , G03F 1/16 B , G03F 7/20 506 , H01L 21/30 551

F-Term (32)：

2H095BA01 , 2H095BA08 , 2H095BB37 , 2H095BC24 , 2H097AA03 , 2H097CA16 , 2H097GB04 , 2H097LA20 , 4D075AB24 , 4D075AD08 , 4D075AD09 , 4D075BB40Z , 4D075BB44Z , 4D075BB45Z , 4D075BB46Z , 4D075BB47Z , 4D075BB48Z , 4D075BB85Y , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB01 , 4D075DB14 , 4D075DC21 , 4D075DC27 , 4D075EB49 , 4D075EC07 , 4F042AA02 , 4F042AA06 , 4F042FA54 , 4F042FA61 , 5F056AA22 , 5F056FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

マスクパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-263502 Applicant：株式会社東芝
電気構造体、電子部品の接続構造、表面処理剤、表面処理液、電極の表面処理方法、および電子部品の実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-260648 Applicant：松下電器産業株式会社
マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-330668 Applicant：株式会社ニコン

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