フォトマスクパターン検証方法、検証装置およびこれを用いた補正方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003357495
Publication number (International publication number)：2005121943
Application date： Oct. 17, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】光強度シミュレーション実施後のCADパターンデータとの比較検証で、無駄な修正を低減し、高精度で信頼性の高いフォトマスクパターンの検証方法を提供する。【解決手段】CADシステムにより作成されたフォトマスクパターンのCADパターンデータに対して光強度シミュレーションを行う光強度シミュレーション実施ステップS102と、前記光強度シミュレーション実施ステップにより算出した光強度シミュレーション結果をCADパターンデータに変換するシミュレーション結果パターン変換ステップS103と、前記シミュレーション結果パターン変換ステップより出力されたシミュレーションパターンデータが所定の条件を満足しているか否かをチェックするルールチェックステップS108とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

CADシステムにより作成されたフォトマスクパターンのCADパターンデータに対して光強度シミュレーションを行う光強度シミュレーション実施ステップと、前記光強度シミュレーション実施ステップにより算出した光強度シミュレーション結果をCADパターンデータに変換するシミュレーション結果パターン変換ステップと、前記シミュレーション結果パターン変換ステップより出力されたシミュレーションパターンデータが所定の条件を満足しているか否かをチェックするルールチェックステップとを含むことを特徴とするフォトマスクパターン検証方法。

IPC (2)：

G03F1/08 , H01L21/027

FI (2)：

G03F1/08 A , H01L21/30 502P

F-Term (2)：

2H095BB01 , 2H095BB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-349789 Applicant：凸版印刷株式会社
パターン歪検出装置及び検出方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-337710 Applicant：三菱電機株式会社
マスクパターンデータ検査装置、及びマスクパターンデータ最適設計装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-140302 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (4)

フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-349789 Applicant：凸版印刷株式会社
パターン歪検出装置及び検出方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-337710 Applicant：三菱電機株式会社
マスクパターンデータ検査装置、及びマスクパターンデータ最適設計装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-140302 Applicant：株式会社日立製作所

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