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J-GLOBAL ID：200903095431985108

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 天野 建
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005245139
Publication number (International publication number)：2007053322
Application date： Aug. 26, 2005
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：

【課題】 1.3μm波長領域で発光する量子ドットの高密度化及び高品質化を実現する半導体発光素子およびその製造方法を目的とする。【解決手段】 半導体発光素子は、第1層のGaAs層と、前記第1層のGaAs層上に形成される第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層と、前記第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層上に形成される第3層のInGaAs層と、前記第3層のInGaAs層上に形成される第4層のGaAs層からなる半導体発光素子であって、前記As原料をAs2としたことを特徴とする。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

第1層のGaAs層と、 前記第1層のGaAs層上に形成される第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層と、 前記第2層である複数のInAs量子ドットを有するInAs薄膜層上に形成される第3層のInGaAs層と、 前記第3層のInGaAs層上に形成される第4層のGaAs層 からなる半導体発光素子であって、 前記As原料をAs2としたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (4)：

5F173AA16 ,  5F173AF05 ,  5F173AF08 ,  5F173AH03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-194812   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-194812   Applicant：富士通株式会社
• 量子光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-273178   Applicant：富士通株式会社
• 半導体量子ドット構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-168089   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-222730   Applicant：株式会社日立製作所
• 量子ドット構造体及びその形成方法、並びに該量子ドット構造体を有する半導体デバイス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-396791   Applicant：三菱化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• As2分子線による1.3μm帯自己組織化InAs量子ドットの作製