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J-GLOBAL ID：200903085541336754

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor：
中田 義昭

About 中田 義昭


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999194812
Publication number (International publication number)：2001024284
Application date： Jul. 08, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 1.3μm帯で発光する活性層を有する発光装置を提供する。【解決手段】 第1の半導体材料を含む第1半導体層21と、その上に複数形成されるとともに離間するに従って縮径し、かつ、小さいエネルギーバンドギャップを有する第2の半導体材料からなる複数の量子ドット25と、第1半導体層21上に形成され、第2の半導体材料よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第3の半導体材料からなる第1の量子ドット閉じ込め層31と、それよりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第4の半導体材料からなる第2の量子ドット閉じ込め層41とを含み、さらに第1の量子ドット閉じ込め層31と第2の量子ドット閉じ込め層41との界面側であって量子ドット25の直上に形成され、量子ドット25のエネルギー準位を制御可する微細構造33とを含む。
Claim (excerpt)：
第1の半導体材料を含む第1半導体層と、該第1半導体層上に複数形成されるとともに、該第1半導体層から離間するに従って縮径し、かつ、該第1の半導体材料よりも小さいエネルギーバンドギャップを有する第2の半導体材料からなる複数の量子ドットと、前記複数の量子ドットを覆って前記第1半導体層上に形成され、前記第2の半導体材料よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第3の半導体材料からなる第1の量子ドット閉じ込め層と、該第1の量子ドット閉じ込め層上に形成され、第1の量子ドット閉じ込め層よりも大きいエネルギーバンドギャップを有する第4の半導体材料からなる第2の量子ドット閉じ込め層と、前記第1の量子ドット閉じ込め層において前記第1の量子ドット閉じ込め層と前記第2の量子ドット閉じ込め層との界面側であって前記量子ドットの直上に形成され、その存在によって前記量子ドットのエネルギー準位を制御する微細構造とを含む半導体発光装置。
F-Term (7)：
5F073AA13 ,  5F073AA75 ,  5F073AB28 ,  5F073CA07 ,  5F073DA06 ,  5F073EA02 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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