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J-GLOBAL ID：200903023322000869

量子光半導体装置

Inventor： 江部 広治 ,  中田 義昭 ,  菅原 充 ,  喜多 隆 ,  和田 修 ,  荒川 泰彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002273178
Publication number (International publication number)：2004111710
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】歪ヘテロエピタキシャル系におけるS-Kモード成長により形成された量子ドットを有する量子光半導体装置において、偏波依存性を除去する。【解決手段】量子ドット13を囲むバリア層14の組成を変化させることにより、量子ドットに蓄積される歪の面内成分および基板面に垂直に働く成分の値を最適化して、量子ドットに生ずる歪みを制御する。その結果、価電子帯中の軽い正孔の準位と重い正孔の準位との関係が伝導帯に対して変化し、TMモードの光放射に対する量子ドットの相互作用の割合をTEモードの光放射に対する量子ドットの相互作用の割合よりも大きくできる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、量子構造を含む活性層とよりなる量子光半導体装置において、 前記量子構造は: 第1の格子定数および第1のバンドギャップを有する第1の半導体結晶よりなる第1のバリア層と、 前記第1のバリア層上にエピタキシャルに形成され、第2の格子定数および第2のバンドギャップを有する第2の半導体結晶よりなる第2のバリア層と、 前記第2のバリア層中に形成され、前記第1の格子定数とは異なる格子定数および前記第1および第2のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、前記第1の半導体結晶および第2の半導体結晶に対して歪み系を形成する半導体結晶よりなり、各々前記第2のバリア層の厚さに実質的に等しい高さを有する複数の量子ドットと、 前記第2のバリア層上に形成され、前記量子ドットを形成する半導体結晶の格子定数とは異なる格子定数を有し、また前記量子ドットを形成する半導体結晶のバンドギャップよりも大きな第3のバンドギャップを有する第3の半導体結晶よりなる第3のバリア層とよりなり、 前記第3のバリア層は、前記第2のバリア層中に形成された前記量子ドットの頂部に接することを特徴とする量子光半導体装置。

IPC (4)：

H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00

FI (4)：

H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601D ,  H01L33/00 A

F-Term (28)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA39 ,  5F041CA66 ,  5F041CA67 ,  5F041FF14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045DA51 ,  5F073AA75 ,  5F073BA02 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-372196   Applicant：富士通株式会社
• 半導体量子ドット素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-184832   Applicant：日本電気株式会社
• 面発光レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-307167   Applicant：科学技術振興事業団
• 量子半導体装置および量子半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-066899   Applicant：富士通株式会社
• 3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061018   Applicant：富士通株式会社
• 量子ドットを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-371061   Applicant：富士通株式会社
• ひずみ補償長波長半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-170688   Applicant：末宗幾夫
• 量子ドットレーザ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-558378   Applicant：サイエンスアンドテクノロジーコーポレーション@ユーエヌエム
• 半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-222730   Applicant：株式会社日立製作所
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138557   Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Polarization dependent photocurrent spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots