半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062865
Publication number (International publication number)：1998256214
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体基板上の絶縁膜に金属埋込み配線を形成する際、CMPの研磨レートの向上によるスラリー消費量の軽減、工程時間の削減、CMPの後洗浄工程における粒界抜け防止による歩留りの向上、反応性の強い薬品の使用により残存メタル不純物、パーティクルの除去性能、歩留りおよび信頼性の向上を図る。【解決手段】半導体装置の製造過程で実施するCMPプロセスの研磨工程に際して、使用するスラリーに被CMP材である配線金属材料15の結晶面方位に対して選択的な相互作用を及ぼす材料を添加して特定面に被着させることにより、スラリー中の改質剤による変質層16の形成を配線金属材料の特定面に対して抑制しつつ行う。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造過程で実施するCMP(化学的機械研磨)プロセスの研磨工程に際して、使用するスラリーに被CMP材である配線金属材料の結晶面方位に対して選択的な相互作用を及ぼす材料を添加して特定面に被着させることにより、スラリー中の改質剤による変質層形成を前記配線金属材料の特定面に対して抑制しつつ行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/304 341 M , H01L 21/304 321 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

埋込み形および突起状タングステンプラグを形成するための化学的・機械的ポリッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026065 Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
研磨剤および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055290 Applicant：株式会社東芝
配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-193899 Applicant：住友金属工業株式会社

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