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J-GLOBAL ID：200903095609740686

窒化物半導体へのP型オーム性接合形成方法

Inventor： 牧本 俊樹 ,  熊倉 一英 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000367869
Publication number (International publication number)：2002170990
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 加工プロセスを行うとp型窒化物半導体の表面はダメージを受けるため、良好なオーム性接合を形成することが困難であった。【解決手段】 (a)加工プロセスによってダメージを受けたp型GaN1にPd3を蒸着しただけでは、Pd3と接触するp型GaN1の界面に多数の欠陥が存在する欠陥層2が生成される。従って、良好なオーム性接合を形成することができない。(b)これを500°C程度で熱処理を行うと、Pd3がp型GaN1内に拡散し、p型GaN1とPd3の間には金属の性質を示すPdGa化合物4がp型GaN1の内部に形成される。Pd3と接触するp型GaN1の界面には欠陥が存在しなくなり、良好なオーミック特性が得られるようになる。(c)さらに、熱処理温度を高くすると、PdGa4が破壊されて、Pd3がさらにp型GaN1中に拡散するので、p型GaN1中に欠陥が生成するので、オーミック特性が劣化する。

Claim (excerpt)：

表面に加工プロセスによってダメージを受けたp型窒化物半導体にPdGa又はPtGaの金属化合物を形成する工程を特徴とする窒化物半導体へのP型オーム性接合形成方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 29/72 H

F-Term (23)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104HH15 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH05 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP41 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F041CA98

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 3族窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241384   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• III族窒化物半導体発光素子製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322992   Applicant：パイオニア株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-365123   Applicant：豊田合成株式会社
• GaN系化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-108673   Applicant：シャープ株式会社