III族窒化物半導体発光素子製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322992
Publication number (International publication number)：1997162442
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】アクセプタ不純物の成長層内部の相互拡散を抑制しかつ発光ダイオード或いは半導体レーザとして必要なp型キャリア濃度を達成でき、純度の高い青緑色、青色又は紫外線を発光するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層からなる半導体発光素子の製造方法において、II族元素が添加されたIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む少なくとも1つのpn接合又はpin接合を形成する接合形成工程と、結晶層上に電極を形成する工程と、pn接合を加熱し、加熱状態にある期間の少なくとも一部の期間において、電極を介して電界を印加する電界印加加熱工程とを含む。

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む半導体発光素子の製造方法であって、II族元素を添加してIII族窒化物半導体(AlxGal-x)l-ylnyN(0≦x≦1,0≦y≦1)の結晶層を含む少なくとも1つのpn接合又はpin接合を形成する接合形成工程と、前記結晶層上に電極を形成する工程と、前記pn接合又はpin接合を所定温度範囲に加熱し、前記pn接合又はpin接合が前記所定温度範囲にある期間の少なくとも一部の期間において、前記電極を介して前記pn接合又はpin接合をよぎる電界を形成する電界形成加熱工程とを含むことを特徴とする製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭51-019985
II-VI族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-269401 Applicant：ソニー株式会社
カルコゲナイド半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191209 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (8)

特開昭51-019985
II-VI族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-269401 Applicant：ソニー株式会社
カルコゲナイド半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191209 Applicant：株式会社東芝

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