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J-GLOBAL ID：200903096400347959

レーザープラズマ発生装置

Inventor：
村井 健介

About 村井 健介


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003348923
Publication number (International publication number)：2005116331
Application date： Oct. 08, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】簡潔な構造からなり、プラズマ発生量が多く、エネルギー変換効率が高く、デブリレスのレーザープラズマ発生装置を提供することを主な目的とする。【解決手段】間歇的に噴射されるターゲット材料に対しパルスレーザー光を照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマにより高エネルギーフォトンを発生させるための装置であって、パルスレーザー集光用レンズの中心部に開口を設け、該開口を通過するターゲット材料の噴射ノズルの軸とレンズ軸とを一致させたことを特徴とするレーザープラズマ発生装置;および上記のレーザープラズマ発生装置を用いて高エネルギーフォトンを発生させる方法において、ターゲット材料が、ガス、液体、または微粒子を含むガス流である方法。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
間歇的に噴射されるターゲット材料に対しパルスレーザー光を集光照射することによりレーザープラズマを発生させ、該プラズマにより高エネルギーフォトンを発生させるための装置であって、パルスレーザー集光用レンズの中心部に開口を設け、該開口を通過するターゲット材料の噴射ノズルの軸とレンズ軸とを一致させたことを特徴とするレーザープラズマ発生装置。
IPC (4)：
H05H1/24 ,  G21K1/00 ,  G21K5/08 ,  H05G2/00
FI (5)：
H05H1/24 ,  G21K1/00 X ,  G21K5/08 X ,  G21K5/08 Z ,  H05G1/00 K
F-Term (5)：
4C092AA07 ,  4C092AA13 ,  4C092AA14 ,  4C092AA15 ,  4C092AB21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • レ-ザ-プラズマX線源装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-376352   Applicant：工業技術院長, 村井健介
  • レーザプラズマX線源
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-325017   Applicant：株式会社日立製作所
Cited by examiner (4)
  • X線発生装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-259060   Applicant：株式会社ニコン
  • アーク放電誘発方法及びその装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-318815   Applicant：科学技術振興事業団, 独立行政法人産業技術総合研究所
  • レ-ザ-プラズマX線源装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-376352   Applicant：工業技術院長, 村井健介
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