薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997001583
Publication number (International publication number)：1998200118
Application date： Jan. 08, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】良質な多結晶半導体薄膜、良好な界面、良質のゲート絶縁膜を同時に形成するプロセスを与える。【解決手段】非晶質半導体薄膜上に絶縁膜を形成した後レーザー照射を行い、該半導体膜をエッチングした後ゲート絶縁膜を形成する事によって半導体-ゲート絶縁膜構造を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に能動層となる半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜上に該半導体物質の化合物膜を形成し、しかる後に、該半導体薄膜及び該化合物膜に光ビームの照射を行う工程と、該化合物膜をエッチングする工程と、該化合物膜をエッチングした後にゲート絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 29/78 617 V , H01L 21/20 , H01L 21/316 X , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体基板及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-095580 Applicant：シャープ株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-032293 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-305940

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