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J-GLOBAL ID：200903096817476484

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
星野 孝志

About 星野 孝志


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005227944
Publication number (International publication number)：2007042997
Application date： Aug. 05, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：
【課題】 定常損失を低減しつつ耐圧を向上することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 整流素子は、基板1と、半導体からなる不純物領域層(n層3およびp層5)と、アノード電極9とを備える。不純物領域層は、基板1上に形成され、基板1側の表面である第1の面と、当該第1の面と反対側の表面である第2の面とを有する。アノード電極9はn層3およびp層5上に形成される。不純物領域層では、第2の面から第1の面に到達するn型のn層3と、n層3に隣接するとともにn層3を挟むように配置され、第2の面から第1の面に向けて延在するp型のp層5とが形成される。アノード電極9は、n層3にショットキー接触し、かつ、p層5に電気的に接続されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板側の表面である第1の面と、前記第1の面と反対側の表面である第2の面とを有する、半導体からなる不純物領域層と、 前記不純物領域層上に形成された電極とを備え、 前記不純物領域層では、前記第2の面から前記第1の面に到達する第1導電型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域に隣接するとともに前記第1不純物領域を挟むように配置され、前記第2の面から前記第1の面に向けて延在する第2導電型の第2不純物領域とが形成され、 前記電極は、前記第1不純物領域にショットキー接触し、かつ、前記第2不純物領域に電気的に接続されている、半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 D
F-Term (13)：
4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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