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J-GLOBAL ID：200903093338452792

パワー半導体構成素子及びその作製方法

Inventor： ナンド カミンスキー ,  ラバン ヘルト
Applicant, Patent owner： ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999501403
Publication number (International publication number)：2002508888
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】本発明は、隣接するショットキー(5)及びpn接合部(9)を有する半導体構成素子及びその作製方法に関し、前記接合部は半導体材料のドリフト領域(2,10)内に配置されている。

Claim (excerpt)：

表面近傍の領域に交互に配置されたショットキー及びpn接合部を有し、アノード及びカソードとして外部コンタクトを備え、そして、ショットキー接合部とpn接合部との間に半導体材料(2)の低濃度ドーピングされたドリフトゾーンが設けられている半導体構成素子において、ドリフトゾーン-半導体(2)の電子的励起スペクトルにおけるバンドギャップ(Egap)と、半導体構成素子の無電圧状態におけるショットキー障壁(5)のエネルギ高さ(φbarrier)との差(Egap-φbarrier)が少なくとも0.8eVであることを特徴とする半導体構成素子。

IPC (2)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (2)：

H01L 29/91 D ,  H01L 29/48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 半導体素子の作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118126   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体整流素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211576   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-105975
  
• 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-228560   Applicant：富士電機株式会社
• 車両用交流発電機及びショットキバリアダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158124   Applicant：株式会社デンソー
• 特表平4-502536
  
• 特開平2-137368
  
• 半導体整流素子およびその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-067667   Applicant：富士電機株式会社
• 特公昭59-035183
  
• 炭化けい素半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-239798   Applicant：富士電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Step-controlled epitaxial growth of SiC: High quality homoepitaxy
• Analysis of Schottky Barrier Heights of Metal/SiC Contacts and Its Possible Application to High-Volt
• 金属データブック 改定第2版, 19871030, P.195