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J-GLOBAL ID:200903096852055335
DCスパッタリング装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995252075
Publication number (International publication number):1997049077
Application date: Aug. 09, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 安定した放電を維持できるDCスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 DCスパッタリング装置2が有する成膜室3内に複数のカソード電極41、42を配置する。このDCスパッタリング装置2に正電圧パルス印加装置6を設け、前記各カソード電極41、42に直流の負電圧を印加して、前記各カソード電極41、42に設けられたターゲット51、52を直流スパッタリングする際、直流電源81、82の出力電圧に同じ周波数の正電圧パルスを重畳して前記各カソード電極41、42に印加する。前記各カソード電極41、42に印加される正電圧パルスの周波数が同じなのでビートは発生せず、前記各ターゲット51、52上に発生したプラズマが相互干渉を起こすことがない。前記各正電圧パルス同士は同期重畳しても、位相をずらして重畳してもよい。
Claim (excerpt):
一つの成膜室内に配置された複数のカソード電極に正電圧パルスが重畳された直流の負電圧を印加して、各カソードに設けられたターゲットのスパッタリングを行うDCスパッタリング装置であって、前記各カソード電極に同じ周波数の正電圧パルスが印加されるように、前記正電圧パルスの周波数を制御する正電圧パルス印加装置が設けられたことを特徴とするDCスパッタリング装置。
IPC (4):
C23C 14/34
, C23C 14/44
, H01L 21/203
, H05H 1/46
FI (4):
C23C 14/34 U
, C23C 14/44
, H01L 21/203 S
, H05H 1/46 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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スパツタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-336097
Applicant:旭硝子株式会社
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特開昭63-169375
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特開昭63-176466
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スパツタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-294332
Applicant:株式会社ニコン
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サブストレート処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-235442
Applicant:レイボルトアクチーエンゲゼルシャフト
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スパッタリング方法と装置および薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-175674
Applicant:旭硝子株式会社
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