ホイスラー合金膜の成膜方法及びトンネル磁気抵抗素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：飯阪泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004356203
Publication number (International publication number)：2006161120
Application date： Dec. 09, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】ターゲットからの組成ずれを抑えられるホイスラー合金膜の成膜方法及びこのホイスラー合金膜を有するトンネル磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】放電ガスとしてキセノンを用いて、Co2MnAl、Co2MnSi、CoCrAl、NiMnSb、SrLaMnO、PtMnSb、Mn2VAl、Fe2VAl、Co2FeSi、Co2MnGe、Co2FexCr(1-x)Alなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

放電ガスとしてキセノンを用いてホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜することを特徴とするホイスラー合金膜の成膜方法。

IPC (13)：

C23C 14/14 , C22C 19/07 , C22C 22/00 , C22C 30/00 , C22C 32/00 , C22C 38/00 , C23C 14/34 , H01F 10/32 , H01F 41/18 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (12)：

C23C14/14 F , C22C19/07 C , C22C22/00 , C22C30/00 , C22C32/00 Z , C22C38/00 303A , C23C14/34 P , H01F10/32 , H01F41/18 , H01L43/08 M , H01L43/10 , H01L27/10 447

F-Term (21)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA07 , 4K029BA21 , 4K029BA24 , 4K029BA25 , 4K029BA26 , 4K029BA44 , 4K029BB02 , 4K029BC06 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5E049AA10 , 5E049BA16 , 5E049GC02 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電子銃の組立方法及び組立用治具
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-295176 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (8)

磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-150962 Applicant：松下電器産業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292856 Applicant：株式会社東芝

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