調整可能な2つの周波数電圧の分配を備えたプラズマリアクタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003522128
Publication number (International publication number)：2005500684
Application date： Aug. 15, 2002
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

基板を処理する為の装置及び方法が提供される。基板を処理する為の装置は、第1電極を有するチャンバと;前記チャンバ内に配置され第2電極を備える基板支持体と;前記第1電極または第2電極の一方に電気的に接続された高周波電源と;前記第1電極または第2電極の一方に電気的に接続された低周波電源と;1以上の前記電極に接続された可変インピーダンス素子と;を備える。可変インピーダンス素子は、第1電極と第2電極との間の自己バイアス電圧の分配を制御する為に同調させることができる。本発明の実施形態は、前記電極の腐食を大幅に減らし、処理の均一性を維持し、高アスペクト比のサブミクロン相互接続特徴部を形成する為にエッチング処理の精度を改善し、さらに、集積回路の生産の時間とコストを減少する高いエッチング速度を提供する。

Claim (excerpt)：

基板を処理する為の装置であって: 内部に第1電極が配置されたチャンバと; 前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内に第2電極を提供する基板支持体と; 前記第1電極又は第2電極と電気的に接続された高周波電源と; 前記第1電極又は第2電極と電気的に接続された低周波電源と; 前記基板支持体と電気的なグラウンドとの間で、前記第1電極及び/又は第2電極に接続された一以上の可変インピーダンス素子と; を備える、装置。

IPC (2)：

H01L21/3065 , H05H1/46

FI (3)：

H01L21/302 101B , H05H1/46 M , H05H1/46 R

F-Term (5)：

5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364442 Applicant：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘
特開平3-204925
特開平4-313271

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