ドライエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び液晶表示装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：目次誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995249467
Publication number (International publication number)：1997074087
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】透明電極膜14のエッチングにおいて、エッチング室内及び被加工物の汚染を生じることなく、精度のよいエッチングを行う。【解決手段】第1のエッチングガスを用い透明電極膜14を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程と、第1のエッチングガスを第2のエッチングガスに切り替えて、透明電極膜14を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程とを備え、第2のエッチングガスとして塩素系ガスが用いられるドライエッチング方法。

Claim (excerpt)：

第1のエッチングガスを用い透明電極膜を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程と、前記第1のエッチングガスを第2のエッチングガスに切り替えて、前記透明電極膜を反応性イオンエッチング法によりエッチングする工程とを備え、前記第2のエッチングガスとして塩素系ガスが用いられるドライエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , G02F 1/1345 , H01L 21/28 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 21/302 F , G02F 1/1345 , H01L 21/28 F , H01L 29/78 612 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜のエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284166 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜のドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-241730 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開昭57-039538

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