半導体集積回路装置及びそれの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006156332
Publication number (International publication number)：2006344956
Application date： Jun. 05, 2006
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

【課題】半導体集積回路装置及びそれの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された第1の導電膜パターンと、第1の導電膜パターン上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第2の導電膜パターンと、第2の導電膜パターン及び絶縁膜全面に形成され、半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第1の紫外線遮断膜と、を含む。これにより、半導体基板に紫外線が輻射されることを遮断して外部イオン及び水分が半導体基板に浸透することを遮断でき、半導体集積回路装置の動作特性を向上させうる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の不純物を含む半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1の導電膜パターンと、前記第1の導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第2の導電膜パターンと、前記第2の導電膜パターン及び前記層間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第1の紫外線遮断膜と、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (2)：

H01L21/90 K , H01L27/08 102D

F-Term (52)：

5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ03 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033WW04 , 5F033XX18 , 5F033XX32 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

韓国登録特許第10-308497号

Cited by examiner (9)

特開昭63-025931
特開平2-292865
特開昭62-092477

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