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J-GLOBAL ID：200903097703683885

レーザー処理方法及びレーザー処理装置

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
田中 幸一郎

About 田中 幸一郎


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996158848
Publication number (International publication number)：1997050961
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 レーザーアニール処理によって形成された、複数の半導体素子間の、特性のばらつきを抑え、かつ大面積の半導体被膜に対するレーザー処理を高いスループットで行う。【解決手段】 基板80には半導体素子が作製される素子作製領域81が2×2のマトリクス状に配置されている。線状レーザー光82はその断面の長さLが素子作製領域の幅Wよりも長くされる。レーザー光を照射する際に、線状レーザービーム82の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域は、素子作製領域81外部を通過する。
Claim (excerpt)：
断面が線状のレーザー光を走査して、該レーザー光の断面の長さより大きい幅を有する半導体被膜に対してレーザー照射を行い、アニールするに際し、レーザー光の長さ方向の端部分が重なって、あるいは接して照射される領域には、半導体素子を形成しないことを特徴とするレーザー処理方法。
IPC (6)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00
FI (5)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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