GaN系半導体素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996283278
Publication number (International publication number)：1998112555
Application date： Oct. 03, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 n電極とn伝導型のGaN系半導体層との間に安定したオーミック性を得る。【解決手段】 n伝導型のGaN系半導体層の上にV、Nb、Zr及びCrから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成し、更に該下地層の上に他の金属からなる主電極層を形成し、半導体層、下地層及び主電極層を熱処理することによりn電極を形成する。

Claim (excerpt)：

n伝導型のGaN系化合物半導体からなる半導体層を形成するステップと、該半導体層の電極形成部にV、Nb、Zr及びCrから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成するステップと、該下地層の上に他の金属からなる主電極層を形成するステップと、前記半導体層、下地層及び主電極層を熱処理するステップと、を含むGaN系半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社
特開平3-108779
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-085492 Applicant：日亜化学工業株式会社

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