基板処理装置及び基板処理方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大森純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001308427
Publication number (International publication number)：2002208560
Application date： Oct. 04, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】現像処理において、基板表面の縁での処理液の液流れを防止し、ウエハ表面に及ぼす悪影響を軽減させる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。【解決手段】ウエハWの表面よりも高さの高い堰部77aを有する堰部材77と、基板Wの最大幅以上の長さを有する長尺状の処理液供給ノズル78と、基板Wの外周に沿って堰部材77を設けた状態で処理液供給ノズル78の先端が堰部77aの上部を通過するように、基板W上で処理液供給ノズル78を走査させるノズル駆動部とを具備する処理装置により、基板W上に所定の深さで処理液を貯留して、処理液供給時には所定の高さを有する堰部77aからオーバーフローさせることで基板表面への悪影響を軽減させる。

Claim (excerpt)：

基板の外周に沿って設けられ、基板の表面よりも高さの高い堰部を有する堰部材と、基板の最大幅以上の長さを有する長尺状の処理液供給ノズルと、基板の外周に沿って前記堰部材を設けた状態で前記処理液供給ノズルの先端が前記堰部の上部を通過するように、基板上で前記処理液供給ノズルを走査させるノズル駆動部とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/027 , B05C 5/00 101 , B05C 11/08 , B05D 1/26 , G03F 7/30 502 , H01L 21/68

FI (8)：

B05C 5/00 101 , B05C 11/08 , B05D 1/26 Z , G03F 7/30 502 , H01L 21/68 A , H01L 21/68 N , H01L 21/68 P , H01L 21/30 569 C

F-Term (49)：

2H096AA25 , 2H096GA29 , 2H096GA31 , 4D075AC01 , 4D075AC82 , 4D075AC88 , 4D075CA48 , 4D075DA08 , 4D075DB01 , 4D075DC22 , 4D075EA45 , 4F041AA02 , 4F041AA06 , 4F041AB02 , 4F041BA13 , 4F041BA46 , 4F042AA07 , 4F042AA08 , 4F042EB07 , 4F042EB18 , 4F042EB28 , 5F031CA02 , 5F031CA05 , 5F031DA01 , 5F031DA17 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031GA02 , 5F031GA47 , 5F031GA48 , 5F031GA49 , 5F031HA09 , 5F031HA12 , 5F031HA13 , 5F031HA32 , 5F031HA48 , 5F031HA55 , 5F031HA58 , 5F031HA59 , 5F031LA06 , 5F031MA02 , 5F031MA04 , 5F031MA24 , 5F031MA26 , 5F046LA02 , 5F046LA03 , 5F046LA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

液膜形成装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-220922 Applicant：東京エレクトロン株式会社
現像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-075491 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体集積回路製造工程におけるフォトレジスト現像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-295267 Applicant：南亞科技股分有限公司

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