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J-GLOBAL ID：200903097962081290

窒化ガリウム材料および方法

Inventor：
ウィークス,ティー・ウォーレン,ジュニア

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パイナー,エドウィン・エル

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ゲールク,トーマス

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リンティカム,ケビン・ジェイ

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Applicant, Patent owner：
ニトロネックス・コーポレーション

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Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002550144
Publication number (International publication number)：2004524250
Application date： Dec. 14, 2001
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
本発明は、シリコン基板上に形成されている窒化ガリウム材料層を含む半導体材料及びその半導体材料を形成するための方法を提供する。この半導体材料は、シリコン基板と窒化ガリウム材料層との間に形成された転移層を含む。この転移層は、窒化ガリウム材料と基板との間の熱膨張率の差から生じる可能性のある窒化ガリウム材料層中の応力を低減させるために組成的な勾配が付けられる。窒化ガリウム材料層中の応力を低減すると、亀裂が生成する傾向が減る。従って、本発明は、亀裂が殆どないか、または全くない窒化ガリウム材料層を含む半導体材料の製造を可能にする。この半導体材料は、多くのマイクロエレクトロニクス用途および光学的用途に用いられてもよい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコン層を含む基板; その基板の上をおおって形成されている組成的に勾配を付けた転移層;および その転移層の上をおおって形成されている窒化ガリウム材料層; を含む半導体材料。
IPC (5)：
C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
F-Term (55)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045EE12 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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