Pat
J-GLOBAL ID:200903098158911197
薄膜配線
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003099967
Publication number (International publication number):2004140319
Application date: Apr. 03, 2003
Publication date: May. 13, 2004
Summary:
【課題】電子部品の配線材料として有望な低電気抵抗なAgやCuに関して、基板に対する密着性、耐熱性、耐食性が低いという欠点を改善し、低い電気抵抗と耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えた薄膜配線を提供する。【解決手段】CuまたはAgを主成分とする膜と、Moを主体としてVおよび/またはNbを含有する合金膜とが積層されている薄膜配線である。また、CuまたはAgを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をMoを主体としてVおよび/またはNbを含有する合金膜で形成する3層で積層されている薄膜配線である。また、上記Mo合金膜にNiおよび/またはCuを添加した薄膜配線である。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
CuまたはAgを主成分とする膜と、Moを主体としてVおよび/またはNbを含有する合金膜とが積層されていることを特徴とする薄膜配線。
IPC (6):
H01L21/3205
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H05B33/14
, H05B33/26
, H05K1/09
FI (7):
H01L21/88 R
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H05B33/26 Z
, H05K1/09 B
, H05K1/09 C
F-Term (60):
2H092HA06
, 2H092KA04
, 2H092KB04
, 2H092MA13
, 2H092MA18
, 2H092NA18
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 3K007AB05
, 3K007AB12
, 3K007AB14
, 3K007AB15
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 4E351AA13
, 4E351BB01
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB32
, 4E351BB35
, 4E351CC01
, 4E351DD04
, 4E351DD05
, 4E351DD14
, 4E351DD17
, 4E351DD19
, 4E351DD58
, 4E351GG01
, 4E351GG04
, 4E351GG13
, 4K029AA05
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA02
, 4K029BA04
, 4K029BA08
, 4K029BA11
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 5F033GG04
, 5F033HH11
, 5F033HH14
, 5F033HH20
, 5F033LL02
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ10
, 5F033QQ11
, 5F033QQ19
, 5F033VV15
, 5F033WW04
, 5F033XX10
, 5F033XX14
, 5F033XX18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
-
電気光学装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-075017
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
電子部品用薄膜配線
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-390064
Applicant:日立金属株式会社
-
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-037675
Applicant:エルジー電子株式会社