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J-GLOBAL ID：200903098370826981

厚膜パターン形成方法

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Inventor： 小坂 陽三 ,  水野 克彦 ,  中村 剛
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 内田 亘彦 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997206129
Publication number (International publication number)：1998200237
Application date： Jul. 31, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 サンドブラスト加工法を使用したPDP等の厚膜パターン形成方法の歩留りを向上させ、表面平滑性に優れ、膜厚が均一で分布精度の良好で形状性に優れる厚膜パターンを得る。【解決手段】 ベースフイルム上にガラスフリットからなる無機成分、熱可塑性樹脂、及び150°C〜400°Cの沸点を有する高沸点溶剤とからなる厚膜パターン形成層12を有する転写シートから、厚膜パターン形成層を基板上に転写した後ベースフイルムを剥離し、転写された厚膜パターン形成層の高沸点溶剤を揮発除去させ、高沸点溶剤を揮発除去した厚膜パターン形成層上にレジストパターン17を形成し、レジストパターンの開口部の厚膜パターン形成層をサンドブラスト加工により除去し、厚膜パターン形成層上のレジストパターンを除去し、焼成により厚膜パターン形成層を焼結し、厚膜パターン18を得る。

Claim (excerpt)：

(1) ベースフイルム上に少なくともガラスフリットを有する無機成分、熱可塑性樹脂、及び150°C〜400°Cの沸点を有する高沸点溶剤とからなる厚膜パターン形成層を有する転写シートから、その厚膜パターン形成層を基板上に転写した後、ベースフイルムを剥離する第1工程、(2) 転写された厚膜パターン形成層における前記高沸点溶剤を揮発除去させる第2工程、(3) 高沸点溶剤を揮発除去した厚膜パターン形成層上にレジストパターンを形成する第3工程、(4) 該レジストパターンの開口部の厚膜パターン形成層をサンドブラスト加工により除去する第4工程、(5) 厚膜パターン形成層上のレジストパターンを除去する第5工程、(6) 焼成により障壁形成層を焼結する第6工程とからなることを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/20 ,  G09F 9/30 315 ,  H01J 9/02

FI (3)：

H05K 3/20 A ,  G09F 9/30 315 ,  H01J 9/02 F