半導体薄膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062659
Publication number (International publication number)：1998256167
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】薄膜成長面を下向きに保持した基板上に窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長する有機金属気相成長装置において、p型不純物としてMgをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長する際に、クラックを発生させることなく、Mgを高濃度に効率良くドープするための方法を提供することを目的とする。【解決手段】原料ガスを反応管へ輸送するためのキャリアガスとして水素が2%以上且つ20%以下の濃度で混合された窒素をベースとするキャリアガスを用いることにより、クラック発生を抑制し且つMgのドーピング効率低下を招くことなくMgをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を製造する方法を提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

窒素がベースで水素が20%以下の濃度で混合されたキャリアガスを用いて原料ガスを反応管へ輸送し、前記反応管内に装着された基板上にp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-180170 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-061015 Applicant：富士通株式会社
化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝

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