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J-GLOBAL ID:200903099028264960
スパッタリング装置及びスパッタリング方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005097749
Publication number (International publication number):2006274389
Application date: Mar. 30, 2005
Publication date: Oct. 12, 2006
Summary:
【課題】 複数のスパッタリングターゲットを備えたスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置は、被成膜基板13にスパッタリングにより薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、真空容器10と、前記真空容器10内に配置された第1乃至第3のスパッタリングターゲット24〜26と、前記第1乃至第3のスパッタリングターゲット24〜26それぞれに高周波電流を出力する高周波電源33〜35と、前記真空容器内に配置され、被成膜基板を保持するサセプタ14と、を具備することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被成膜基板にスパッタリングにより薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、
処理室と、
前記処理室内に配置された複数のスパッタリングターゲットと、
前記複数のスパッタリングターゲットそれぞれに高周波電流又は直流を出力する電源と、
前記処理室内に配置され、被成膜基板を保持する保持部と、
を具備することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3):
C23C 14/34
, C23C 14/44
, H05H 1/46
FI (4):
C23C14/34 C
, C23C14/44
, H05H1/46 L
, H05H1/46 R
F-Term (13):
4K029BA21
, 4K029BA56
, 4K029BA58
, 4K029CA03
, 4K029CA04
, 4K029CA06
, 4K029CA08
, 4K029DC03
, 4K029DC05
, 4K029DC16
, 4K029DC28
, 4K029DC34
, 4K029DC35
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
-
特開平2-50957号公報(1頁右下欄、2頁左上欄、第3図)
-
誘導結合プラズマによるチャンバ内スパッタリングにおいて側壁カバレージを改善する方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-362418
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
特開昭63-000465
-
複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-071792
Applicant:山口県, 和興産業株式会社, 株式会社ユーテック
-
特開昭60-013066
-
特開昭61-238958
-
スパッタリングカソード及びスパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-136125
Applicant:日本真空技術株式会社
-
プラズマ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-315565
Applicant:三菱電機株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-116823
Applicant:ニチメン電子工研株式会社, 株式会社ユーテック
-
磁気特性測定方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-082841
Applicant:日本電信電話株式会社
-
高周波プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-025498
Applicant:アネルバ株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-340614
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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Cited by examiner (11)
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誘導結合プラズマによるチャンバ内スパッタリングにおいて側壁カバレージを改善する方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-362418
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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特開昭60-013066
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特開昭63-000465
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特開昭61-238958
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複合硬質皮膜、その製造方法及び成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-071792
Applicant:山口県, 和興産業株式会社, 株式会社ユーテック
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スパッタリングカソード及びスパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-136125
Applicant:日本真空技術株式会社
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プラズマ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-315565
Applicant:三菱電機株式会社
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-116823
Applicant:ニチメン電子工研株式会社, 株式会社ユーテック
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磁気特性測定方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-082841
Applicant:日本電信電話株式会社
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高周波プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-025498
Applicant:アネルバ株式会社
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-340614
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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