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J-GLOBAL ID：200903099155964466

電界電子放出装置の製造方法

Inventor：
伊藤 雅章

About 伊藤 雅章

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左合 澄人

About 左合 澄人

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楠 美智子

About 楠 美智子


Applicant, Patent owner：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

About 株式会社ノリタケカンパニーリミテド

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財団法人ファインセラミックスセンター

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Agent (1)： 池田 治幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001006888
Publication number (International publication number)：2002216615
Application date： Jan. 15, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】高密度に配向させられたナノチューブにより構成されたエミッタのエミッション開始電圧を低くし得る電界電子放出装置の製造方法を提供する。【解決手段】低真空熱処理工程70では、基板が6(Pa)程度の酸素分圧の高い雰囲気下において1700(°C)程度で加熱されるため、珪素除去層の生成速度より遅い速度でナノチューブがその先端から酸化させられ、基板表面においてその先端が疎に分布する。一方、高真空熱処理工程72では、基板が10-2(Pa)程度の酸素分圧の低い雰囲気下において1700(°C)の温度で加熱されるため、珪素除去層の上層部はナノチューブ構造に保たれるが、下層部は表面に沿った方向にグラファイト等が連なり且つそのナノチューブに原子レベルで連続する導電性の炭素層となる。そのため、高真空熱処理だけを施した従来に比較してエミッション開始電圧が低下すると共に全面で一様な電子放出効率が得られる。
Claim (excerpt)：
気密空間内において互いに対向して配置されたエミッタおよび陽極間に電圧を印加することにより、そのエミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置の製造方法であって、共有結合性炭化物から成る基板を0.1乃至10(Pa)の範囲内の真空下において1650乃至1800(°C)の範囲内の温度で1時間以上加熱する低真空熱処理工程と、前記基板を10-4乃至0.1(Pa)の範囲内の真空下において1550乃至1800(°C)の範囲内の温度で1時間以上加熱する高真空熱処理工程とを、含むことを特徴とする電界電子放出装置の製造方法。
IPC (2)：
H01J 9/02 ,  C01B 31/02 101
FI (2)：
H01J 9/02 B ,  C01B 31/02 101 F
F-Term (6)：
4G046CA00 ,  4G046CB09 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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