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J-GLOBAL ID:200903099419731732

樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂封止型半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998022143
Publication number (International publication number):1998275818
Application date: Feb. 03, 1998
Publication date: Oct. 13, 1998
Summary:
【要約】【課題】 基板上にフェイスダウンで実装された半導体素子の周囲に、未充填やボイドの存在しない樹脂層を容易に形成することができる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 配線回路を有する基板上に半導体素子を、その主面を基板に対向させてフェイスダウンで実装する工程と、前記半導体素子が実装された基板および封止樹脂を金型内に収容し、前記封止樹脂に圧力を加えることで、前記封止樹脂を前記半導体素子と基板との隙間、半導体素子の側面および半導体素子の裏面に配置して樹脂封止する工程とを具備する方法である。
Claim (excerpt):
配線回路を有する基板上に半導体素子を、その主面を基板に対向させてフェイスダウンで実装する工程と、前記半導体素子が実装された基板および封止樹脂を金型内に収容し、前記封止樹脂に圧力を加えることで、前記封止樹脂を前記半導体素子と基板との隙間、半導体素子の側面および半導体素子の裏面に配置して樹脂封止する工程とを具備する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311
FI (2):
H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 311 Q
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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