Pat
J-GLOBAL ID:200903099440564218

多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法、それにより製造された硫化カドミウムナノ結晶、およびこれを用いた白色発光ダイオード素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005157791
Publication number (International publication number):2005336052
Application date: May. 30, 2005
Publication date: Dec. 08, 2005
Summary:
【課題】 多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法、それにより製造された硫化カドミウムナノ結晶、およびこれを用いた白色発光ダイオード素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体硫化カドミウムナノ結晶の製造方法は、カドミウム前駆体および分散剤を配位力の弱い溶媒と混合し、これを加熱してカドミウム前駆体溶液を得る段階と、硫黄前駆体を配位力の弱い溶媒に溶解して硫黄前駆体溶液を得る段階と、加熱されたカドミウム前駆体溶液に、硫黄前駆体溶液を注入して硫化カドミウム結晶を成長させる段階とを含む。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
(a)カドミウム前駆体および分散剤を配位力の弱い溶媒と混合し、これを加熱してカドミウム前駆体溶液を得る段階と、 (b)硫黄前駆体を配位力の弱い溶媒に溶解して硫黄前駆体溶液を得る段階と、 (c)加熱された前記カドミウム前駆体溶液に前記硫黄前駆体溶液を注入して硫化カドミウム結晶を成長させる段階とを含む、多重波長で発光する硫化カドミウムナノ結晶の製造方法。
IPC (2):
C01G11/02 ,  H01L33/00
FI (2):
C01G11/02 ,  H01L33/00 D
F-Term (12):
4G047BA01 ,  4G047BB01 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA14 ,  5F041CA08 ,  5F041CA41 ,  5F041CA45 ,  5F041CA67 ,  5F041CB36
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第6,225,198号明細書
  • 米国特許第6,306,736号明細書
  • 米国特許第6,322,901号明細書
Show all
Cited by examiner (6)
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Improved optical properties of CdS quantum dots by ligand exchange

Return to Previous Page