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J-GLOBAL ID：200903099492858813

半導体レーザ素子

Inventor：
朝妻 庸紀

About 朝妻 庸紀

, 
平田 照二

About 平田 照二


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 畑中 芳実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002338782
Publication number (International publication number)：2004172506
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：
【課題】NFPやFFPの光強度分布が均一な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本半導体レーザ素子40は、AlGaAs活性層18及びp-AlGaAsクラッド層20の発光領域42の両側の領域44が2次元フォトニック結晶化されていることを除いて、従来のブロードエリア型半導体レーザ素子と同じ層構造を備えている。発光領域42の両側の領域44に設けられている2次元フォトニック結晶構造は、780μmのレーザ光が領域44内でストライプ状リッジに平行な方向(共振器長方向)には導波できないような特性を有する結晶構造である。共振器方向に進行する光は、2つのフォトニック結晶領域44で挟まれた発光領域42にしか存在することができないので、フォトニック結晶領域44によって横方向に光が閉じ込められた状態になる。領域44による光の閉じ込めにより、光閉じ込めの界面であるストライプの両縁部での光の損失が抑制され、波面の曲がりが小さくなって、NFPやFFPの光強度分布が均一になる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも、活性層、ガイド層、及びクラッド層を含む積層構造を備える半導体レーザ素子において、 活性層、ガイド層、及びクラッド層のいずれかの層の発光領域の両側の領域が、多次元フォトニック結晶化されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1)：
H01S5/20
FI (1)：
H01S5/20
F-Term (6)：
5F073AA07 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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