発光素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：藤島洋一郎 , 三反崎泰司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007125226
Publication number (International publication number)：2007329468
Application date： May. 10, 2007
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なシリコン系発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子30は、酸化ケイ素(SiOx,0.5<x<1.5)とエルビウム(Er)を含む発光層12の両側に、p型透明導電膜51およびn型透明導電膜52が設けられた構造を有している。エルビウム原子が光学的に活性化することで、特に波長1.5μm付近の発光強度が増加する。p型透明導電膜51およびn型透明導電膜52は発光層12よりもバンドギャップが大きい材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型シリコン系発光素子の実現を可能とする。これにより、集積回路内への発光素子の実装が容易となる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

酸化ケイ素(SiOx,0.5<x<1.5)とエルビウム(Er)とを含む発光層を備えたことを特徴とする発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 A

F-Term (5)：

5F041AA04 , 5F041AA24 , 5F041AA43 , 5F041CA46 , 5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜EL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-161920 Applicant：株式会社ニコン
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-309822 Applicant：株式会社リコー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-013275 Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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