磁気抵抗変換素子およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三反崎泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000356782
Publication number (International publication number)：2001230471
Application date： Nov. 22, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】電子反射を改善することができる磁気抵抗変換素子およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】基体10の上にシード層12、バッファ層13、フリー層14、スペーサー層16、磁化方向被固定層18および磁化方向固定作用層20が順次積層されている。バッファ層13は、酸化ニッケル(II)またはα-酸化鉄(III )を含む金属酸化物により構成されており、フリー層14と類似する結晶構造および格子定数を有している。これにより、フリー層14とバッファ層13との界面における電子の反射率が向上し、抵抗変化率が向上する。

Claim (excerpt)：

基体上に、ニッケル・クロム合金、ニッケル・クロム・銅合金およびニッケル・鉄・クロム合金からなる群のうちのいずれかを含む磁気抵抗感度を向上させる材料からなるシード層を形成する工程と、前記シード層上に、酸化ニッケル(II)またはα-酸化鉄(III)を含む金属酸化物からなるバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に、強磁性のフリー層を形成する工程と、前記フリー層上に、非磁性導体からなるスペーサ層を形成する工程と、前記スペーサ層上に、強磁性の磁化方向被固定層を形成する工程と、前記磁化方向被固定層上に、磁化方向固定作用層を形成する工程と、前記磁化方向固定作用層上に、保護層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗変換素子の製造方法。

IPC (12)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12

FI (12)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/06 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/18 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-326822 Applicant：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-276181 Applicant：松下電器産業株式会社
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-058981 Applicant：株式会社東芝

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