Pat

J-GLOBAL ID：200903099962587846

半導体レーザ装置

Inventor： 佐藤 彰生 ,  三瓶 和久 ,  伊藤 博 ,  前田 光俊 ,  加地 徹 ,  市川 正 ,  松原 弘幸 ,  伊藤 健治 ,  長谷川 和男 ,  井上 大介
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  渡辺 敏章 ,  早川 康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003184477
Publication number (International publication number)：2005019804
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】高いビーム品質で高強度のレーザ光を出力することのできる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】面発光レーザ21が2次元アレイ状に配列した面発光レーザチップ13からの出射光を集光レンズ15によって集光して高強度レーザ光を発生する。集光レンズ15の面発光レーザに対向する面に反射鏡16を備えることにより、各面発光レーザ21の発振モード選択してシングルモード化し、高出力にする。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

複数の面発光レーザを2次元的に配列した面発光レーザアレイと、前記面発光レーザアレイからの出射光を集光する単一の集光レンズとを含み、 前記集光レンズは、前記面発光レーザアレイに対向する面に反射鏡を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S5/42 ,  H01S5/022 ,  H01S5/183

FI (3)：

H01S5/42 ,  H01S5/022 ,  H01S5/183

F-Term (12)：

5F073AA72 ,  5F073AB04 ,  5F073AB17 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA09 ,  5F073CA03 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073EA24 ,  5F073FA08 ,  5F073FA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• VCSEL光源のアレイを備える、版に画像を形成する装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-065705   Applicant：ハイデルベルガードルツクマシーネンアクチエンゲゼルシヤフト
• 面型光増幅素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029380   Applicant：工業技術院長
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-126455   Applicant：日亜化学工業株式会社
• レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-151469   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開平1-231387
  
• レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-201979   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開昭62-005677