半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鹿嶋英實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000146012
Publication number (International publication number)：2001326299
Application date： May. 18, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】信頼性を向上することができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】ウエハ1の背面を覆うように裏面側保護膜11を形成してからウエハ1を個片化する箇所に予めダイシングを施して切削溝1aを刻設しておき、その後にウエハ1の表面および側面を覆うと共に、切削溝1aを充填する表面側保護膜3を形成し、続いて再配線5、ポスト6および表面側保護膜7を設けた後、切断面に所定厚の表面側保護膜3が残るように切削溝1a部分を再度ダイシングして半導体装置10を形成するので、個片化された半導体装置10は背面、表面および側面が全て保護膜3,11で覆われることになり、この結果、チップ破損や露出面からの水分浸透等、信頼性を低下させる要因を除去でき、信頼性が向上する。

Claim (excerpt)：

表面に複数の柱状電極が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の背面を覆う裏面側保護膜と、前記シリコン基板の前記各柱状電極を除く表面および側面を覆うと共に、このシリコン基板を個片に切断した時の切断面を覆うように形成された表面側保護膜とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/12 , H01L 21/02 , H01L 21/301

FI (3)：

H01L 21/02 A , H01L 23/12 L , H01L 21/78 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ICパッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203525 Applicant：日本電装株式会社
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-016959 Applicant：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-275964 Applicant：沖電気工業株式会社

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