Art

J-GLOBAL ID：201002223806014283   Reference number：10A0249015

Room-Temperature Ferromagnetism in Cobalt and Aluminum Co-Doping Tin Dioxide Diluted Magnetic Semiconductors

コバルトとアルミニウムを同時ドーピングした二酸化スズ希釈磁性半導体における室温強磁性

Author (5)： NING Xingzhi (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  LIU Xiaofang (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  YU Ronghai (Lab. of Advanced Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ.) ,  SHI Ji (Dep. of Metallurgy and Ceramics, Tokyo Inst. of Technol.) ,  NAKAMURA Yoshio (Dep. of Metallurgy and Ceramics, Tokyo Inst. of Technol.)
Material： Materials Transactions  (Mater Trans)
Volume： 51  Issue： 3  Page： 557-560 (J-STAGE)  Publication year： 2010 
JST Material Number： G0668A  ISSN： 1345-9678  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferromagnetism ,  Cobalt ,  Aluminum ,  doping ,  room temperature ,  *saturation magnetization ,  *magnetic semiconductor ,  *tin oxide ,  magnetron sputtering ,  cobalt compound ,  aluminum compound ,  annealing (heat treatment) ,  heating temperature ,  electrical resistivity ,  impurity ,  metal cluster ,  sputtered deposition ,  micro structure ,  endogenous ,  *dilute magnetic semiconductor ,  co-doping
Semi thesaurus term： *diluted magnetic semiconductor ,  co-doping

JST classification (1)： Magnetic properties of oxides  (BM06050E)

Reference (21)：

• DIETL, T. Science. 2000, 287, 1019-1022
• PAN, F. Mater. Sci. Eng. R. 2008, 62, 1-35
• SATO, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L555-L558
• PEARTON, S. J. Semicond. Sci. Technol. 2004, 19, R59-R74
• NGUYEN, H. H. J. Phys. B. 2005, 358, 265-268

Terms in the title (6)： コバルト ,  アルミニウム ,  同時ドーピング ,  二酸化スズ ,  希釈磁性半導体 ,  室温強磁性