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J-GLOBAL ID：201002260289737760   Reference number：10A1104214

近接垂直ブロー型CVD炉を用いた4H-SiCエピ膜の高速・厚膜成長

Author (5)： ISHIDA YUKI (産業技術総合研) ,  TAKAHASHI TETSUO (産業技術総合研) ,  OKUMURA HAJIME (産業技術総合研) ,  ARAI KAZUO (産業技術総合研) ,  YOSHIDA SADAFUMI (産業技術総合研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
Volume： 71st  Page： ROMBUNNO.14A-ZS-9  Publication year： Aug. 30, 2010 
JST Material Number： Y0055B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  hexagonal system ,  compound semiconductor ,  *thick film ,  *chemical vapor deposition ,  *homoepitaxy ,  silane ,  surface structure ,  semiconductor device ,  throughput ,  atomic force microscope ,  microscopy ,  alkane
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  power device ,  surface morphology

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Propane

Terms in the title (7)： 垂直 ,  ブロー ,  CVD ,  4H-SiC ,  エピ膜 ,  厚膜 ,  成長