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J-GLOBAL ID：201003001595957764

微細構造を有する高分子薄膜およびパターン基板の製造方法

Inventor：
吉田 博史

About 吉田 博史

, 
多田 靖彦

About 多田 靖彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008220680
Publication number (International publication number)：2010053263
Application date： Aug. 29, 2008
Publication date： Mar. 11, 2010
Summary：
【課題】 高分子ブロック共重合体のミクロ相分離により、基板表面に周期が異なる規則的パターンからなる領域が共存したパターンや、規則的パターンの周期に分布を有するパターンを有する高分子薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置し、前記高分子層をミクロ相分離させる工程を含む高分子薄膜の製造方法であって、前記基板表面は、化学的性質の異なる表面1と表面2にパターン化されており、かつ、高分子ブロック共重合体組成物が第1の高分子ブロック鎖と第2の高分子ブロック鎖からなる高分子ブロック共重合体に、第1の高分子鎖あるいは第2の高分子鎖に相溶する高分子、あるいは、第2の高分子ブロック共重合体が所定の組成で配合されていることを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
高分子ブロック共重合体組成物を含む高分子層を基板表面に配置する第1段階と、 前記高分子層をミクロ相分離させる第2段階と、を含む微細構造を有する高分子薄膜の製造方法において、 前記高分子ブロック共重合体組成物は、 少なくとも分子量Mn(A1)の高分子ブロック鎖A1と分子量Mn(A2)の高分子ブロック鎖A2からなる高分子ブロック共重合体Aに、 前記高分子ブロック鎖A1を主成分とする第1の高分子相に相溶する分子量Mn(H1)の高分子H1、および、前記高分子ブロック鎖A2を主成分とする第2の高分子相に相溶する分子量Mn(H2)の高分子H2の少なくとも一方が配合されてなり、 Mn(A1),Mn(A2),Mn(H1),Mn(H2)が以下の関係を有し、 Mn(H1)<Mn(A1)÷3 Mn(H2)<Mn(A2)÷3 前記基板表面は、前記第1の高分子相との界面張力が第2の高分子相との界面張力よりも小さい第1の表面に、第2の高分子相との界面張力が第1の高分子相との界面張力よりも小さい第2の表面が離散的に配置されてなることを特徴とする微細構造を有する高分子薄膜の製造方法。
IPC (5)：
C08L 53/00 ,  H01L 21/312 ,  C08L 25/06 ,  B05D 1/28 ,  B82B 3/00
FI (5)：
C08L53/00 ,  H01L21/312 A ,  C08L25/06 ,  B05D1/28 ,  B82B3/00
F-Term (15)：
4D075AC41 ,  4D075BB20X ,  4D075DC21 ,  4D075EB14 ,  4D075EB22 ,  4J002BC032 ,  4J002BP031 ,  4J002GQ05 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AE01 ,  5F058AE05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • USP 6,746,825,B2
  • USP 6,926,953,B2
  • US 2006/0134556
Cited by examiner (4)
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