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J-GLOBAL ID：201003005599497119

ダイヤモンド単結晶基板とその製造方法

Inventor：
泉 健二

About 泉 健二

, 
目黒 貴一

About 目黒 貴一

, 
今井 貴浩

About 今井 貴浩


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (4)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008184464
Publication number (International publication number)：2010024066
Application date： Jul. 16, 2008
Publication date： Feb. 04, 2010
Summary：
【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が20ppm以上100ppm以下であり、前記第二層の窒素含有量が5ppm以上20ppm未満であるダイヤモンド単結晶基板である。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層と、を有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。
IPC (4)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/06 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/04 R ,  C23C16/27 ,  C01B31/06 A ,  H01L21/205
F-Term (50)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB12 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077EH05 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB07 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  4G077TJ06 ,  4G146AA04 ,  4G146AA15 ,  4G146AB05 ,  4G146AC19B ,  4G146AC28A ,  4G146AC28B ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC29 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146BC41 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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