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J-GLOBAL ID：201003006664040128

半導体放射線検出器および核医学診断装置

Inventor：
小南 信也

About 小南 信也

, 
小橋 啓司

About 小橋 啓司


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (2)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008261907
Publication number (International publication number)：2010093071
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： Apr. 22, 2010
Summary：
【課題】クロストークが生じるのを防止するとともにポーラリゼーションを好適に防止する。【解決手段】カソード電極およびアノード電極で挟まれる検出素子11が半導体結晶として臭化タリウムを用いてなり、少なくともカソード電極またはアノード電極が検出素子11の一つの面に二つ以上配置されて別個のチャンネルをなす検出部10a〜10dが複数設けられた半導体放射線検出器1であって、カソード電極およびアノード電極は、二層の積層構造とされ、検出素子11側の第1層がタリウムであり、検出素子11は、カソード電極またはアノード電極が二つ以上配置される側において、カソード電極またはアノード電極の側方における半導体結晶の露出面が、タリウムの酸化物あるいはフッ化物のいずれかからなる絶縁スペーサ18、19で被覆されている構成とした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
カソード電極およびアノード電極で挟まれる検出素子が半導体結晶として臭化タリウムを用いてなり、少なくとも前記カソード電極または前記アノード電極が前記検出素子の一つの面に二つ以上配置されて別個のチャンネルをなす検出部が複数設けられた半導体放射線検出器であって、 前記カソード電極および前記アノード電極は、二層の積層構造とされ、前記検出素子側の第1層がタリウムであり、 前記検出素子は、 前記カソード電極または前記アノード電極が二つ以上配置される側において、前記カソード電極または前記アノード電極の側方における前記半導体結晶の露出面が、前記タリウムの酸化物あるいはフッ化物のいずれかからなる絶縁スペーサで被覆されていることを特徴とする半導体放射線検出器。
IPC (4)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  G01T 1/161 ,  H01L 31/09
FI (4)：
H01L27/14 K ,  G01T1/24 ,  G01T1/161 C ,  H01L31/00 A
F-Term (22)：
2G088EE03 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  4M118AA05 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118DA34 ,  4M118FB03 ,  4M118FB24 ,  5F088AA11 ,  5F088AB01 ,  5F088BA07 ,  5F088EA04 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088FA20 ,  5F088LA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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