半導体基板上における接点の形成

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004546176
Publication number (International publication number)：2006504257
Application date： Oct. 23, 2003
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

本発明の実施形態は、半導体基板上に1つまたは複数の導電接点を有する放射線検出装置を製造するための方法に関し、半導体基板の第1の表面に第1の導電層を塗布するステップと、導電性材料の複数の隣接層を形成するために第2の導電層を塗布するステップであって、上記複数の隣接層が上記第1の導電層を含むステップと、上記複数の隣接層の一部を選択的に除去して上記導電接点を形成するステップであって、導電接点が半導体基板内に1つまたは複数の放射線検出装置セルを形成するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に1つまたは複数の導電接点を有する放射線検出装置を製造するための方法であって、前記半導体基板の第1の表面に第1の導電層を塗布するステップと、導電性材料の複数の隣接層を形成するために第2の導電層を塗布するステップであって、前記複数の隣接層が前記第1の導電層を含むステップと、前記複数の隣接層の一部を選択的に除去して前記導電接点を形成するステップであって、前記導電接点が前記半導体基板内に1つまたは複数の放射線検出装置セルを形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 31/09 , H01L 31/026

FI (2)：

H01L31/00 A , H01L31/08 L

F-Term (8)：

5F088AA11 , 5F088AB09 , 5F088BB03 , 5F088EA04 , 5F088FA05 , 5F088FA12 , 5F088HA12 , 5F088LA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

PCT/EP95/02056

Cited by examiner (21)

特開平1-216290
特開平3-188684
特開平3-188684

Show all

Return to Previous Page