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J-GLOBAL ID：201003011572230145

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
秋元 健吾

About 秋元 健吾


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008224178
Publication number (International publication number)：2010062229
Application date： Sep. 01, 2008
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：
【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側(バックチャネル側)であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ゲート電極上にゲート絶縁層が設けられ、 前記ゲート絶縁層上にチャネル形成領域が形成される酸素過剰型の酸化物半導体層と 前記酸素過剰型の酸化物半導体層上に一対のソース領域及びドレイン領域を形成する酸素欠乏型の酸化物半導体層と、 前記酸素欠乏型の酸化物半導体層に接するソース電極層及びドレイン電極層を有し、 前記酸素過剰型の酸化物半導体層の前記ゲート絶縁層とは反対側の面であって、前記ソース領域及びドレイン領域に挟まれた領域と、該領域に近接する前記素欠乏型の酸化物半導体層の側端部に酸素濃度の高い高抵抗領域をすること を特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  C01G 15/00
FI (4)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  C01G15/00 Z
F-Term (51)：
5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN37 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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