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J-GLOBAL ID：201003015217720625

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor：
越 保信

About 越 保信

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西田 政哉

About 西田 政哉

, 
前田 喜世彦

About 前田 喜世彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (1)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008320773
Publication number (International publication number)：2010147139
Application date： Dec. 17, 2008
Publication date： Jul. 01, 2010
Summary：
【課題】基板配列領域における全領域で低WERを確保するとともに、良好なWIWを得る。【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に1原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第1工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第2工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に1原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第3工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第4工程と、を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行う。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
処理容器内で基板上に炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、 前記炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、 前記処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に1原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第1工程と、 前記処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、前記シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第2工程と、 前記処理容器内にシリコンを含むガスを供給して前記窒化シリコン膜上に1原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第3工程と、 前記処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、前記窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または前記窒化シリコン膜に炭素を添加する第4工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを少なくとも1回以上行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/56
FI (3)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 B ,  C23C16/56
F-Term (44)：
4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045DC61 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE15 ,  5F045EE19 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-082486   Applicant：株式会社日立国際電気
Cited by examiner (3)

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