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J-GLOBAL ID：200903077472726720

成膜方法及び成膜装置

Inventor：
周 保華

About 周 保華

, 
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008001689
Publication number (International publication number)：2008227460
Application date： Jan. 08, 2008
Publication date： Sep. 25, 2008
Summary：
【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる1サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、 前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる1サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (5)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (4)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/90 K
F-Term (41)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030EA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F033RR01 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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