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J-GLOBAL ID：201003016366078754

半導体受光素子

Inventor：
渡邉 さわき

About 渡邉 さわき


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008050529
Publication number (International publication number)：WO2008088018
Application date： Jan. 17, 2008
Publication date： Jul. 24, 2008
Summary：
受光素子1は、半導体基板101と、この半導体基板101上に設けられた受光層、および半導体基板101と受光層の間に受信光以外の光を吸収するフィルタ層103を有し、受光層となる第一メサ11が、少なくとも受信光以外の光を吸収する第三メサ13により取り囲まれている。その結果、フィルタ層103が薄く、受信光以外の光が十分に吸収できなくとも、第三メサ13で吸収されるため、第一メサ11への到達を抑制できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 該半導体基板上に、第一導電型の半導体層と、少なくとも光吸収層を含む第二導電型の半導体層と、前記第一導電型の半導体層上に形成された第一導電型の電極と、前記第二導電型の半導体層上に形成された第二導電型の電極とを有し、 前記半導体基板から入射する信号光を前記光吸収層で吸収し電気信号に変換する半導体受光素子であって、 前記半導体基板と前記光吸収層との間に、前記光吸収層より吸収端波長の短い半導体層からなるフィルタ層を有し、 前記フィルタ層上の半導体層をメサ構造に形成した第一メサの上に、前記第二導電型の電極が形成され、 前記第一メサを取り囲み、かつ、前記第一メサと離間して配置され、少なくとも前記光吸収層で受光すべき信号光に対する阻害光を吸収する第三メサを有することを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1)：
H01L 31/107
FI (1)：
H01L31/10 B
F-Term (9)：
5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NA17 ,  5F049NB01 ,  5F049PA03 ,  5F049QA06 ,  5F049SZ01 ,  5F049SZ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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