SOI基板の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009256854
Publication number (International publication number)：2010141305
Application date： Nov. 10, 2009
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：

【課題】貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエーハ5もしくは酸化膜7付きシリコンウエーハ5にイオンを注入してイオン注入層2を形成する工程、前記透明絶縁性基板の前記表面、および、前記イオンを注入したウエーハの前記表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記ウエーハ5と前記透明絶縁性基板3とを貼り合わせる工程、貼り合わせた基板に150°C以上350°C以下の熱処理を加え、接合体6を得る工程、前記接合体6の透明絶縁性基板3側から前記ウエーハ5のイオン注入層2に向けて可視光を照射して前記イオン注入層2の界面を脆化し、シリコン薄膜を透明絶縁性基板3に転写しSOI層4を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板の表面にSOI層を形成してSOI基板を製造する方法であって、シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハの表面からイオンを注入してイオン注入層を形成する工程、前記透明絶縁性基板の前記表面、および、前記イオンを注入したシリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハの前記表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハと前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、150°C以上350°C以下の熱処理を加え、接合体を得る工程、前記接合体の透明絶縁性基板側から前記シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハのイオン注入層に向けて可視光を照射して前記イオン注入層の界面を脆化し、シリコン薄膜を透明絶縁性基板に転写しSOI層を形成する工程をこの順に含むSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265

FI (2)：

H01L27/12 B , H01L21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-280036 Applicant：シャープ株式会社
薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-305083 Applicant：石川島播磨重工業株式会社
ウェーハ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-150897 Applicant：エスオーアイテックシリコンオンインシュレータテクノロジーズ

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