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J-GLOBAL ID：201003018514509916

半導体発光装置およびその製造方法

Inventor： 堀江 秀善 ,  海老原 渉
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (2)： 伊藤 克博 ,  小野 暁子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008212249
Publication number (International publication number)：2010050236
Application date： Aug. 20, 2008
Publication date： Mar. 04, 2010
Summary：

【課題】光取り出し効率を向上させる透光性被覆層を、より簡易に形成できるようにする。【解決手段】半導体発光装置1は、サブマウント2、サブマウント2上に搭載された半導体発光素子3、および半導体発光素子3を完全に被覆した透光性被覆層4を有する。透光性被覆層4は、サブマウント2の外周全周に接して形成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

コア材、配線層およびコート層のうち少なくともコア材および配線層を有する第一支持体と、 前記第一支持体の上面に搭載された少なくとも1つの半導体発光素子と、 前記半導体発光素子が前記第一支持体と接合されている部分を除いて前記半導体発光素子を完全に被覆して形成された透光性被覆層と、 を有し、 前記透光性被覆層は、前記第一支持体の外縁全周に接して形成されている半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/48 ,  H01S 5/022

FI (2)：

H01L33/00 N ,  H01S5/022

F-Term (29)：

5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DA45 ,  5F041DA47 ,  5F041DA55 ,  5F041DA58 ,  5F041EE25 ,  5F173MB02 ,  5F173MC23 ,  5F173MD04 ,  5F173MD12 ,  5F173MD63 ,  5F173MD84 ,  5F173ME06 ,  5F173ME15 ,  5F173ME31 ,  5F173MF03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-109819   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 発光装置および照明装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-431225   Applicant：東芝ライテック株式会社

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124229   Applicant：ルナライト株式会社
• 発光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-247069   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 透明樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-263012   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社