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J-GLOBAL ID：201003022804063048

ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法

Inventor： 影山 景弘 ,  中村 大介 ,  山田 文彦 ,  尾崎 俊治
Applicant, Patent owner： アルバック成膜株式会社
Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008299866
Publication number (International publication number)：2010128003
Application date： Nov. 25, 2008
Publication date： Jun. 10, 2010
Summary：

【課題】エッチングによる加工形状の制御性を向上したハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板Sに形成された半透過層11を有する半透過部HAと、半透過層11とイオン化傾向が異なる遮光層14が半透過層11に積層されてなる遮光部PAとを備えたハーフトーンマスク10であって、半透過層11と遮光層14との間に挟まれて半透過層11と遮光層14との間を電気的に絶縁する酸化物層13を備えた。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ガラス基板に形成された半透過層を有する半透過部と、 イオン化傾向が前記半透過層と異なるエッチングストッパ層と、遮光層とが前記半透過層に積層されてなる遮光部と を備えたハーフトーンマスクであって、 前記遮光層が前記エッチングストッパ層と接する界面に電気的に絶縁する絶縁酸化物層を備えたことを特徴とするハーフトーンマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

F-Term (3)：

2H095BB03 ,  2H095BC04 ,  2H095BC24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• マスクブランクおよび階調マスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-044501   Applicant：大日本印刷株式会社
• ハーフトーンブランクス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-037206   Applicant：クリーンサアフェイス技術株式会社
• マスク用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-160537   Applicant：日本電信電話株式会社
• レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-008827   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• ハーフトーンブランクス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-037206   Applicant：クリーンサアフェイス技術株式会社
• マスク用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-160537   Applicant：日本電信電話株式会社
• レベンソン型位相シフトマスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-008827   Applicant：富士通株式会社