Pat
J-GLOBAL ID：201003032290298917

多孔質シリカ粒子及びその製造方法

Inventor：
江上 美紀

About 江上 美紀

, 
若宮 義憲

About 若宮 義憲


Applicant, Patent owner：
日揮触媒化成株式会社

About 日揮触媒化成株式会社


Agent (1)： 石田 政久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008315071
Publication number (International publication number)：2010138021
Application date： Dec. 10, 2008
Publication date： Jun. 24, 2010
Summary：
【課題】 担体用粒子として有用な、内部に粒子間空隙構造を有し、細孔径の均一性が高い多孔質シリカ粒子を提供する。 【手段】 内部に粒子間空隙構造を有する多孔質シリカ粒子であって、該多孔質シリカ粒子の平均粒子径(PD)が0.5〜50μm、比表面積が30〜250m2/gであり、更に該多孔質シリカ粒子が下記1)〜3)の要件を満たすものであることを特徴とする多孔質シリカ粒子。1)細孔容積が0.10〜0.25cc/gの範囲2)細孔径分布(X軸:細孔径、Y軸:細孔容積を細孔径で微分した値)におけるピーク値の細孔径(D1)が2〜50nmの範囲3)(D1)×0.75〜(D1)×1.25nmの範囲内の細孔径を有する細孔の合計細孔容積が、全細孔容積の80%以上【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
内部に粒子間空隙構造を有する多孔質シリカ粒子であって、該多孔質シリカ粒子の平均粒子径(PD)が0.5〜50μm、比表面積が30〜250m2/gであり、更に該多孔質シリカ粒子が下記1)〜3)の要件を満たすものであることを特徴とする多孔質シリカ粒子。 1)細孔容積が0.10〜0.25cc/gの範囲 2)細孔径分布(X軸:細孔径、Y軸:細孔容積を細孔径で微分した値)におけるピーク値の細孔径(D1)が2〜50nmの範囲 3)(D1)×0.75〜(D1)×1.25nmの範囲内の細孔径を有する細孔の合計細孔容積が、全細孔容積の80%以上
IPC (1)：
C01B 33/18
FI (1)：
C01B33/18 C
F-Term (22)：
4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB07 ,  4G072BB15 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072DD05 ,  4G072GG01 ,  4G072HH30 ,  4G072HH33 ,  4G072KK03 ,  4G072MM14 ,  4G072MM32 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ06 ,  4G072QQ09 ,  4G072TT01 ,  4G072TT05 ,  4G072TT08 ,  4G072TT09 ,  4G072TT30 ,  4G072UU17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM