反応装置及び反応方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：柳瀬睦肇 , 渡部温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008204375
Publication number (International publication number)：2010036152
Application date： Aug. 07, 2008
Publication date： Feb. 18, 2010
Summary：

【課題】低温で短時間かつ効率良く薄膜を酸化又は還元する反応装置及び反応方法を提供する。【解決手段】本発明に係る反応装置は、チャンバー3と、前記チャンバー内に配置され、薄膜が形成された基板1を保持する保持機構2と、極性溶媒のpHを調製するpH調製機構と、前記pH調製機構によってpHが調製された極性溶媒を加熱する加熱機構と、前記加熱機構によって加熱された前記極性溶媒を前記保持機構に保持された前記基板に供給する供給機構と、を具備し、前記pHが調製され且つ加熱された極性溶媒によって前記薄膜に酸化反応又は還元反応を起こさせることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チャンバーと、前記チャンバー内に配置され、薄膜が形成された基板を保持する保持機構と、極性溶媒のpHを調製するpH調製機構と、前記pH調製機構によってpHが調製された極性溶媒を加熱する加熱機構と、前記加熱機構によって加熱された前記極性溶媒を前記保持機構に保持された前記基板に供給する供給機構と、を具備し、前記pHが調製され且つ加熱された極性溶媒によって前記薄膜に酸化反応又は還元反応を起こさせることを特徴とする反応装置。

IPC (7)：

B01J 19/24 , B01J 3/00 , B01J 3/02 , B01J 19/10 , B01J 19/00 , C01G 25/00 , C01B 13/14

FI (7)：

B01J19/24 Z , B01J3/00 A , B01J3/02 A , B01J19/10 , B01J19/00 K , C01G25/00 , C01B13/14 Z

F-Term (31)：

4G042DA02 , 4G042DB11 , 4G042DB26 , 4G042DB31 , 4G042DC03 , 4G042DD02 , 4G042DD09 , 4G042DE14 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AB03 , 4G048AC01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G075AA13 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BA06 , 4G075BB10 , 4G075BD10 , 4G075BD16 , 4G075CA02 , 4G075CA23 , 4G075CA51 , 4G075CA65 , 4G075CA66 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EA01 , 4G075EB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

高結晶性チタン酸バリウム超微粒子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-063397 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
特開平3-39014

Cited by examiner (5)

インクジェット式記録ヘッドの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-317971 Applicant：セイコーエプソン株式会社
異物除去方法,膜形成方法,半導体装置及び膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-018265 Applicant：松下電器産業株式会社
ウェハ処理において低誘電率材料を不動態化する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-575185 Applicant：スーパークリティカルシステムズインコーポレイティド

Show all

Return to Previous Page