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J-GLOBAL ID：201003039754758589

トランジスタ

Inventor： 金 善 日 ,  宋 利 憲 ,  金 昌 ジョン ,  朴 宰 徹 ,  金 尚 ウク
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009165841
Publication number (International publication number)：2010021555
Application date： Jul. 14, 2009
Publication date： Jan. 28, 2010
Summary：

【課題】移動度及びしきい値電圧が調節された酸化物をチャンネル層に有するトランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

トランジスタであって、 相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、 前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、 前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z

F-Term (24)：

5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325366   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-224309   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-050004   Applicant：キヤノン株式会社