銅-ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人有古特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008288573
Publication number (International publication number)：2010116580
Application date： Nov. 11, 2008
Publication date： May. 27, 2010
Summary：

【課題】形成された物理蒸着薄膜にマクロおよびミクロな偏析の生じない銅-ガリウム合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】71原子%ないし78原子%のCuと22原子%ないし29原子%のGaからなり、その金属ミクロ組織中に25%以下の化合物相を有する銅-ガリウム合金スパッタリングターゲットを、原料ターゲットに500°Cないし850°Cの温度範囲での少なくとも1回の熱を伴う機械的な処理、0.5ないし5時間の焼なまし処理、またはそれらを組み合わせた処理を施す工程。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

71原子%ないし78原子%のCuと22原子%ないし29原子%のGaからなり、その金属ミクロ組織中に25%以下の化合物相を有する合金を含む銅-ガリウム合金スパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C22C 9/00 , C22F 1/08 , C23C 14/34

FI (3)：

C22C9/00 , C22F1/08 A , C23C14/34 A

F-Term (4)：

4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-323242 Applicant：三菱マテリアル株式会社
Cu-Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-244011 Applicant：真空冶金株式会社
銅スパッタリングターゲット及び銅スパッタリングターゲットの形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2005-505599 Applicant：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

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